IBMとTDK、次世代MRAMの共同研究開発を開始

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2007年8月20日

IBMコーポレーションとTDK株式会社は、このたびスピン注入磁化反転法を適用した次世代大容量MRAMの研究開発を共同で開始しました。

MRAMは低消費電力･高速動作・書換え耐性・不揮発性（データ保持に電力を必要としない）の点で、他のメモリー技術と比較し優れた特長を持っております。しかし、これまでMRAMはコスト効率よく高容量化することが難しく、市場で広範な採用には至っておりません。

MRAMの特長を維持しながら、スピン注入磁化反転法を適用することで、現行の磁化反転方式と比較しメモリーセルの小型化が可能となり、コストパフォーマンスよく容量を増やすことが可能となります。すなわちこのことは、MRAMが車載、携帯電話、ハンドヘルドコンピュータや産業機器向けの最適なメモリーとなる潜在能力を備えていることを示しています。

IBMは、MRAMメモリー技術開発、MTJ要素技術の研究開発、メモリーにおけるスピン注入磁化反転法の予測および研究における先駆者です。 TDK株式会社は、MRAMの記憶素子部にとって必須であるMTJ技術をHDD向け記録ヘッドに適用し、普及させてきました。 また両社は磁気データ記録のための材料や設計において、多くの研究成果と特許を保有しています。

今回の共同開発では、メモリー単独や混載メモリーで用いられる高密度･高容量のMRAMを創るため、両社各々で培ってきた新しいメモリー技術や磁性素子開発に関する専門知識を活用していきます。

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